參數(shù)資料
型號： BFG31
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 新型場效應晶體管
英文描述： PNP 5 GHz wideband transistor
封裝： BFG31<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： BFG31
1995 Sep 12
5
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFG31
Fig.6
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 650 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 443.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB348
(dB)
40
60
100
65
45
80
50
55
60
IC
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 550 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 848.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB349
(dB)
40
60
80
120
100
55
60
65
dim
IC
Fig.8 Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 450 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MBB350
10
110
60
50
40
30
20
30
50
70
90
IC
Fig.9
Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 810 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MBB351
10
110
60
50
40
30
20
30
50
70
90
IC
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PDF描述
BFG31 PNP 5 GHz wideband transistor
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BFG310W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
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