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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG17A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN 3 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SMD, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BFG17A |
1995 Sep 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 3 GHz wideband transistor
BFG17A
Fig.2 Intermodulation distortion and second order intermodulation distortion MATV test circuit.
(1) L1 = L3 = 5
μ
H Ferroxcube choke.
(2) L2 = 3 turns 0.4 mm copper wire, internal diameter 3 mm, winding pitch 1 mm.
handbook, full pagewidth
MBB251
18
1.5 nF
10 k
L2
L1
1 nF
75
input
270
1 nF
L3
1.5 nF
1 nF
0.68 pF
3.3 pF
DUT
75
output
VCC
VBB
Fig.3
DC current gain as function of collector
current.
V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MBB374
80
0
10
20
30
0
IC
hFE
40
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= 0; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C
handbook, halfpage
MBB370
0
0.8
0.4
0
4
8
12
16
VCB
Cc
(pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG197W | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343 |
| BFG197 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG25X | NPN 5GHz wideband transistor(NPN 5G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG520XR | NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG621 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG17AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-143 |
| BFG19 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
| BFG193 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
| BFG193E6433 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000010994_RF TRANSISTOR |
| BFG193E6433XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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