參數(shù)資料
型號(hào)： BFG11W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz power transistor
中文描述： 叩2 GHz的功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： BFG11W
1996 Jun 04
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz power transistor
BFG11W/X
FEATURES
High power gain
High efficiency
Small size discrete power amplifier
1.9 GHz operating area
Gold metallization ensures excellent reliability
Linear and non-linear operation.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB operation in handheld radio
equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS.
Driver for DCS 1800.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a
plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package.
PINNING - SOT343
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 Simplified outline.
Marking code: S4
handbook, halfpage
Top view
MBK523
2
1
3
4
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
s
≤
60
°
C in a common-emitter test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
6
η
c
(%)
≥
60
Pulsed, class-AB,
δ
< 1 : 2; t
p
= 5 ms
1.9
3.6
400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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