參數(shù)資料
型號： BFG11W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz power transistor
中文描述： 叩2 GHz的功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BFG11W
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1995
File under Discrete Semiconductors, SC14
1996 Jun 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG11W/X
NPN 2 GHz power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG11 NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
BFG11X NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
BFG16A NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管)
BFG16 NPN 2 GHz wideband transistor
BFG17 NPN 3 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BFG135 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BFG135,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG135,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG135 Series 15 V 1 W 7 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-223-3
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