參數(shù)資料
型號(hào)： BF861
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel junction FETs
中文描述： N溝道結(jié)場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BF861
1997 Sep 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel junction FETs
BF861A; BF861B; BF861C
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 8 V; V
GS
= 0; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient; note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
25
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)GSS
V
GSoff
gate-source breakdown voltage I
G
=
1
μ
A
gate-source cut-off voltage
BF861A
BF861B
BF861C
gate-source forward voltage
drain current
BF861A
BF861B
BF861C
gate cut-off current
forward transfer admittance
BF861A
BF861B
BF861C
common source output
conductance
BF861A
BF861B
BF861C
input capacitance
reverse transfer capacitance
equivalent input noise voltage
V
I
D
= 1
μ
A
0.2
0.5
0.8
1
1.5
2
1
V
V
V
V
V
GSS
I
DSS
V
DS
= 0; I
G
= 1 mA
2
6
12
6.5
15
25
1
mA
mA
mA
nA
I
GSS
y
fs
V
GS
=
20 V; V
DS
= 0
12
16
20
20
25
30
mS
mS
mS
g
os
2.1
1.5
200
250
300
10
2.7
μ
S
μ
S
μ
S
pF
pF
nV/
√
Hz
C
iss
C
rss
V
n
/
√
B
f = 1 MHz
f = 1 MHz
V
GS
= 0; f = 1 MHz
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