參數(shù)資料
型號： BF861
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel junction FETs
中文描述： N溝道結(jié)場效應管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BF861
1997 Sep 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel junction FETs
BF861A; BF861B; BF861C
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
GSO
V
DGO
I
G
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage
drain-gate voltage (DC)
forward gate current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
25
25
25
10
250
+150
150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
open drain
open source
up to T
amb
= 25
°
C; note 1
Fig.2 Power derating curve.
MRC166
0
100
200
300
0
50
100
150
Pot
(mW)
Tamb( C)
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