參數(shù)資料
型號： BF859
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistors
中文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
封裝： PLASTIC, TO-202, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 42K
代理商： BF859
1999 Apr 14
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistor
BF859
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
BF861 N-channel junction FETs
BF869S Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BF869 NPN high-voltage transistors
BF869SA Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BF871S Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BF859A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300V 0.3A 1.8W Ebc NPN Transistor TO-202Aa
BF861 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs
BF861A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs
BF861A T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF861A,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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