參數(shù)資料
型號(hào)： BF859
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistors
中文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
封裝： PLASTIC, TO-202, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： BF859
1999 Apr 14
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistor
BF859
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-202 plastic package.
An A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b is
available on request.
APPLICATIONS
For use in video output stages of black and white and
colour television receivers.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
collector, connected to mounting base
base
Fig.1 Simplified outline (TO-202) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
MBH794
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
open emitter
open base
open collector
65
65
300
300
5
100
300
100
2
6
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
mb
≤
75
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
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PDF描述
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