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參數(shù)資料
| 型號： | BF822W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C |
| 中文描述： | 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BF822W |
1997 Sep 03
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BF820W; BF822W
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BF820W
BF822W
collector-emitter voltage
BF820W
BF822W
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
300
250
V
V
V
CEO
open base
65
65
300
250
5
50
100
50
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25 mA; V
CE
= 20 V
I
C
= 30 mA; I
B
= 5mA; note 1
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
50
60
10
10
50
600
1.6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
C
re
f
T
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
feedback capacitance
transition frequency
mV
pF
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BF823S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
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