參數(shù)資料
型號： BF822W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C
中文描述： 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 52K
代理商： BF822W
1997 Sep 03
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BF820W; BF822W
FEATURES
Low current (max. 50 mA)
High voltage (max. 300 V).
APPLICATIONS
Telephony and professional communication equipment.
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT323 plastic package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT323) and symbol.
handbook, halfpage
2
3
1
MAM062
3
2
1
Top view
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BF820W
BF822W
1Vt
1Wt
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BF820W
BF822W
collector-emitter voltage
BF820W
BF822W
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
open emitter
300
250
V
V
V
CEO
open base
50
60
300
250
100
200
1.6
V
V
mA
mW
I
CM
P
tot
h
FE
C
re
f
T
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 25 mA; V
CE
= 20 V
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
pF
MHz
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