參數資料
型號: BF822W
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C
中文描述: 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 52K
代理商: BF822W
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 19
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF820W; BF822W
NPN high-voltage transistors
相關PDF資料
PDF描述
BF994 N-channel dual-gate MOS-FET
BF994SA CAP CER 68PF 50V 5% C0G 0603
BF994SB CAP CERAMIC 7PF 50V C0G 0603
BF994 CAP CER 27PF 50V 5% C0G 0603
BF994S CAP CER 47PF 50V 5% C0G 0603
相關代理商/技術參數
參數描述
BF823 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BF823 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF823,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF823S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
BF823T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23