參數(shù)資料
型號(hào)： BF556B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BF556B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 118K
代理商： BF556B
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
8. Dynamic characteristics
Table 8.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
C
iss
input capacitance
Dynamic characteristics
Conditions
V
DS
= 15 V; f = 1 MHz
V
GS
=
10 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V; f = 1 MHz
V
GS
=
10 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA
f = 100 MHz
f = 450 MHz
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA
f = 100 MHz
f = 450 MHz
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA
f = 100 MHz
f = 450 MHz
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA
f = 100 MHz
f = 450 MHz
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA;
f = 100 Hz
Min
Typ
Max
Unit
-
-
1.7
3
-
-
pF
pF
C
rss
reverse transfer capacitance
-
-
0.8
0.9
-
-
pF
pF
g
is
common source input
conductance
-
-
15
300
-
-
S
S
g
fs
common source transfer
conductance
-
-
-
-
-
2
1.8
6
6
40
-
-
-
-
-
mS
mS
S
S
S
g
rs
common source reverse
conductance
g
os
common source output
conductance
-
-
-
30
60
40
-
-
-
S
S
nV/
Hz
V
n
equivalent input noise voltage
V
DS
= 15 V.
Drain current as a function of gate-source
cut-off voltage; typical values.
V
DS
= 15 V; I
D
= 1
A.
Forward transfer admittance as a function of
gate-source cut-off voltage; typical values.
Fig 2.
Fig 3.
V
GSoff
(V)
0
8
6
2
4
mrc154
8
12
4
16
20
I
DSS
(mA)
0
V
GSoff
(V)
0
8
6
2
4
mrc156
4
6
2
8
10
Y
fs
(mS)
0
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PDF描述
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