參數(shù)資料
        型號(hào)： BF556B
        廠商： NXP Semiconductors N.V.
        元件分類(lèi)： JFETs
        英文描述： N-channel FET
        封裝： BF556B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
        文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
        文件大?。?/td> 118K
        代理商： BF556B
        BF556A_BF556B_BF556C
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        NXP B.V. 2011. All rights reserved.
        Product data sheet
        Rev. 4 — 15 September 2011
        10 of 14
        NXP Semiconductors
        BF556A; BF556B; BF556C
        N-channel silicon junction field-effect transistors
        9. Package outline
        Fig 20. Package outline.
        UNIT
        A
        1
        max.
        b
        p
        c
        D
        E
        e
        1
        H
        E
        L
        p
        Q
        w
        v
        REFERENCES
        OUTLINE
        VERSION
        EUROPEAN
        PROJECTION
        ISSUE DATE
        04-11-04
        06-03-16
        IEC
        JEDEC
        JEITA
        mm
        0.1
        0.48
        0.38
        0.15
        0.09
        3.0
        2.8
        1.4
        1.2
        0.95
        e
        1.9
        2.5
        2.1
        0.55
        0.45
        0.1
        0.2
        DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
        0.45
        0.15
        SOT23
        TO-236AB
        bp
        D
        e1
        e
        A
        A1
        Lp
        Q
        detail X
        HE
        E
        w
        M
        v
        M
        A
        B
        A
        B
        0
        1
        2 mm
        scale
        A
        1.1
        0.9
        c
        X
        1
        2
        3
        Plastic surface-mounted package; 3 leads
        SOT23
        相關(guān)PDF資料
        PDF描述
        BF556C N-channel FET
        BF861A N-channel FET
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        BF861C N-channel FET
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        參數(shù)描述
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        BF556B,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
        BF556C 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors
        BF556C T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
        BF556C,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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