參數(shù)資料
型號： BF419
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistor
中文描述： Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 65K
代理商： BF419
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Apr 09
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF419
NPN high-voltage transistor
book, halfpage
M3D100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BF822W KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C
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參數(shù)描述
BF41931 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
BF420 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF420,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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