參數(shù)資料
型號(hào)： BF1216
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 8/17頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： BF1216
BF1216_1
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Product data sheet
Rev. 01 — 29 April 2010
8 of 17
NXP Semiconductors
BF1216
Dual N-channel dual gate MOSFET
(1) R
G1
= 10 k
Ω
.
(2) R
G1
= 20 k
Ω
.
(3) R
G1
= 40 k
Ω
.
(4) R
G1
= 60 k
Ω
.
(5) R
G1
= 80 k
Ω
.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
°
C.
Fig 8.
Drain current as a function of V
DS
and V
GG
;
typical values
(1) V
GG
= 5.0 V.
(2) V
GG
= 4.5 V.
(3) V
GG
= 4.0 V.
(4) V
GG
= 3.5 V.
(5) V
GG
= 3.0 V.
T
j
= 25
°
C; R
G1
= 39 k
Ω
(connected to V
GG
).
Fig 9.
Drain current as a function of gate2 voltage;
typical values
V
GG
= G
DS
(V)
0
5
4
2
3
1
001aal590
10
20
30
I
D
(mA)
0
(4)
(5)
(1)
(2)
(3)
V
G2-S
(V)
0
5
4
2
3
1
001aal591
20
10
30
40
I
D
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1217WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1218 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1218 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF245A N-channel FET
BF245B N-channel FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1216,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-1216-10SV-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF1216115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF-1216-24SV06-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF-1216-24SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
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