參數(shù)資料
型號(hào)： BF1211WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1211WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BF1211WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Alwa
文件頁(yè)數(shù)： 9/16頁(yè)
文件大小： 415K
代理商： BF1211WR
2003 Dec 16
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MDB841
10
10
2
10
3
yis
(mS)
f (MHz)
gis
bis
Fig.17 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MDB842
10
10
2
10
3
3
10
2
10
1
|
yrs
|
(
μ
S)
f (MHz)
10
3
10
2
10
1
rs
(deg)
|
yrs
|
rs
Fig.18 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
2
10
1
MDB843
10
f (MHz)
10
2
10
3
|
yfs
|
(mS)
10
2
10
1
fs
(deg)
|
yfs
|
fs
Fig.19 Forward transfer admittance and phase as
functions of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MDB844
10
10
2
10
3
1
10
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
Fig.20 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C.
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PDF描述
BF1212 N-channel dual-gate MOSFET
BF1212 N-channel dual-gate MOSFET
BF1212R N-channel dual-gate MOSFET
BF1212WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1212R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF-1212-03SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
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