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參數(shù)資料
| 型號： | BF1211WR |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1211WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BF1211WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Alwa |
| 文件頁數(shù)： | 10/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 415K |
| 代理商： | BF1211WR |
2003 Dec 16
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.86
7.73
15.25
22.84
30.15
30.25
44.24
51.16
58.16
65.15
72.22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.58
3.14
6.31
9.41
12.48
15.54
18.59
21.65
24.27
27.79
30.94
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.985
0.979
0.965
0.949
0.929
0.904
0.876
0.846
0.816
0.791
2.928
2.921
2.807
2.846
2.784
2.704
2.639
2.558
2.486
2.402
2.315
175.8
171.6
163.2
155.0
146.7
138.9
130.9
123.0
115.1
107.2
99.9
0.0005
0.0010
0.0015
0.0028
0.0034
0.0037
0.0040
0.0039
0.0037
0.0032
0.0028
89.3
86.9
91.1
77.4
74.0
71.4
69.6
69.0
70.0
74.5
87.1
0.993
0.993
0.993
0.988
0.985
0.981
0.976
0.971
0.965
0.960
0.956
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
0.9
1.3
0.693
0.707
16.75
37.33
29.85
29.90
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PDF描述 |
|---|---|
| BF1212 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1212 | N-channel dual-gate MOSFET |
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參數(shù)描述 |
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| BF-1212-03SV06-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
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