參數(shù)資料
型號： BF1210
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1210<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 8/21頁
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代理商： BF1210
BF1210_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 25 October 2006
8 of 21
NXP Semiconductors
BF1210
Dual N-channel dual gate MOSFET
(1) R
G1(A)
= 47 k
.
(2) R
G1(A)
= 59 k
.
(3) R
G1(A)
= 68 k
.
(4) R
G1(A)
= 82 k
.
(5) R
G1(A)
= 100 k
.
(6) R
G1(A)
= 120 k
.
(7) R
G1(A)
= 150 k
.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
°
C.
Fig 8.
Amplifier A: drain current as a function of V
DS
and V
GG
; typical values
(1) V
GG
= 5.0 V.
(2) V
GG
= 4.5 V.
(3) V
GG
= 4.0 V.
(4) V
GG
= 3.5 V.
(5) V
GG
= 3.0 V.
T
j
= 25
°
C; R
G1(A)
= 59 k
(connected to V
GG
).
Fig 9.
Amplifier A: drain current as a function of gate2
voltage; typical values
001aaf482
V
GG
= V
DS
(V)
0
5
4
2
3
1
10
15
5
20
25
I
D
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
001aaf483
V
G2-S
(V)
0
5
4
2
3
1
10
20
30
I
D
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1210 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1211 N-channel dual-gate MOSFET
BF1211 N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1210 T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1210,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-1210-05SV 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:CONNECTOR - Bulk
BF-1210-05SV06 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:CONNECTOR - Bulk
BF-1210-05SV06-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
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