參數(shù)資料
型號(hào)： BF1206
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1206<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 18/22頁(yè)
文件大?。?/td> 628K
代理商： BF1206
2003 Nov 17
18
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual-gate MOS-FET
BF1206
Amplifier b scattering parameters
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Noise data
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.43
6.84
13.61
20.37
27.05
33.68
40.17
46.54
52.86
58.60
64.34
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.69
3.38
6.72
10.08
13.46
16.83
20.25
23.68
27.22
30.57
34.14
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.991
0.989
0.982
0.973
0.961
0.947
0.933
0.919
0.905
0.890
0.881
3.44
3.43
3.41
3.38
3.34
3.29
3.23
3.16
3.09
3.02
2.94
176.33
172.66
165.44
158.20
151.04
144.02
137.12
130.22
123.22
116.84
110.20
0.0008
0.0015
0.0029
0.0041
0.0051
0.0058
0.0062
0.0063
0.0065
0.0055
0.0058
86.54
84.92
80.95
77.63
74.43
71.86
70.28
70.72
72.37
75.91
89.82
0.988
0.987
0.985
0.982
0.978
0.973
0.969
0.965
0.960
0.958
0.958
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
1.3
1.4
0.648
0.604
14.4
31.1
28.8
27.9
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.35 Cross-modulation test set-up (for one MOS-FET).
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PDF描述
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BF1206115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1206F 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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BF1207 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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