參數(shù)資料
型號(hào)： BF1206
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1206<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 5/22頁(yè)
文件大?。?/td> 628K
代理商： BF1206
2003 Nov 17
5
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual-gate MOS-FET
BF1206
DYNAMIC CHARACTERISTICS AMPLIFIER a
Common source; T
amb
= 25
C; V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V; I
D
= 18 mA; unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
Calculated from measured s-parameters.
Measured in Fig.35 test circuit.
SYMBOL
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
oss
C
rss
NF
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
forward transfer admittance
input capacitance at gate 1
input capacitance at gate 2
output capacitance
reverse transfer capacitance f = 1 MHz
noise figure
pulsed; T
j
= 25
C
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
33
38
2.4
3.2
1.1
15
3
1.3
1.6
35
48
2.9
30
1.9
2.2
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dB
f = 11 MHz; G
S
= 20 mS; B
S
= 0
f = 400 MHz; Y
S
= Y
S opt
f = 800 MHz; Y
S
= Y
S opt
f = 200 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S opt
;
G
L
= 0.5 mS; B
L
= B
L opt
; note 1
f = 400 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S opt
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L opt
; note 1
f = 800 MHz; G
S
= 3.3 mS; B
S
= B
S opt
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L opt
; note 1
input level for k = 1%; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; note 2
at 0 dB AGC
at 10 dB AGC
at 40 dB AGC
G
tr
power gain
30
dB
23
dB
X
mod
cross-modulation
90
102
92
105
dB
V
dB
V
dB
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1206 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1207 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1207 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1208D Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1208D Dual N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1206,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1206115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1206F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1206F,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1207 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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