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參數(shù)資料
| 型號： | BF1204 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1204<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;BF1204<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | BF1204 |
2010 Sep 16
9
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1204
Scattering parameters
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.29
7.12
14.21
21.22
28.14
35.01
41.75
48.51
54.96
61.62
67.84
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.44
2.90
5.70
8.50
11.25
13.96
16.67
19.36
22.04
24.80
27.45
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.991
0.987
0.981
0.969
0.958
0.939
0.921
0.898
0.874
0.847
0.817
2.95
2.90
2.86
2.83
2.79
2.74
2.68
2.62
2.55
2.49
2.41
175.78
171.61
163.45
155.11
147.37
139.04
131.35
123.38
115.74
107.84
100.24
0.00060
0.00119
0.00234
0.00339
0.00429
0.00508
0.00565
0.00611
0.00646
0.00662
0.00670
85.25
84.74
80.85
75.77
72.23
68.24
64.97
61.90
57.77
55.04
52.16
0.995
0.994
0.992
0.989
0.987
0.983
0.981
0.976
0.973
0.969
0.966
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.19 Cross-modulation test set-up (for one MOS-FET).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1205C | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1205C | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1204 T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1204,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1204,135 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1204.115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R |
| BF1205 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FET |
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