參數(shù)資料
型號(hào)： BF1109WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大小： 347K
代理商： BF1109WR
1997 Dec 08
11
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
1.1
0.9
A1
max
0.1
b1
0.88
0.78
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
HE
y
w
v
Q
2.5
2.1
0.55
0.25
0.45
0.25
e
1.9
e1
1.7
Lp
0.1
0.1
0.2
bp
0.48
0.38
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT143R
SC-61AA
04-11-16
06-03-16
0
1
2 mm
scale
Plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT143R
D
HE
E
A
B
v
M
A
X
A
A1
Lp
Q
detail X
c
y
w
M
e1
e
B
1
2
4
3
b1
bp
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BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點(diǎn):可變強(qiáng)度 電池大小:AA（需要 1 個(gè)） 長度:- 主體材料:-
BF1118,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1118R,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1118W,115 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
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