參數(shù)資料
型號: BF1109WR
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-channel dual-gate MOSFET
封裝: BF1109WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
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代理商: BF1109WR
1997 Dec 08
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
Fig.9
Drain current as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
10
12
4
0
8
4
6
8
MDA617
VDS (V)
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
8
6
4
0
MDA618
2
8
12
4
0
IG1 (
μ
A)
V
DS
= 9 V; V
= 4 V; I
Dnom
= 12 mA; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
Fig.11 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values (see Fig.18).
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
20
gain reduction (dB)
40
60
110
90
80
100
MDA619
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點(diǎn):可變強(qiáng)度 電池大小:AA(需要 1 個) 長度:- 主體材料:-
BF1118,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1118R,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1118W,115 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel