參數(shù)資料
型號(hào)： BF1109
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
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代理商： BF1109
1997 Dec 08
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
Fig.9
Drain current as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
10
12
4
0
8
4
6
8
MDA617
VDS (V)
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
8
6
4
0
MDA618
2
8
12
4
0
IG1 (
μ
A)
V
DS
= 9 V; V
= 4 V; I
Dnom
= 12 mA; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
Fig.11 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values (see Fig.18).
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
20
gain reduction (dB)
40
60
110
90
80
100
MDA619
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PDF描述
BF1109R N-channel dual-gate MOSFET
BF1109WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1109R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
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