參數(shù)資料
型號： BF1109
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 1/15頁
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代理商： BF1109
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Sep 03
1997 Dec 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF1109; BF1109R; BF1109WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1109R N-channel dual-gate MOSFET
BF1109WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1109R N-channel dual-gate MOSFET
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BF1118 Silicon RF switches
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參數(shù)描述
BF1109,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1109R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1109WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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