參數(shù)資料
型號： BF1107W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel single gate MOS-FETs
中文描述： Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： BF1107W
1999 May 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel single gate MOS-FETs
BF1107; BF1107W
Fig.3
Losses (on-state) as a function of
frequency; typical values.
V
SG
= V
DG
= 0.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
handbook, halfpage
S21(on)
2
(dB)
5
4
3
2
1
MBK831
10
10
2
10
3
f (MHz)
(2)
(1)
Fig.4
Isolation (off-state) as a function of
frequency; typical values.
V
SG
= V
DG
= 5 V.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
handbook, halfpage
S21(off)
2
(dB)
60
40
20
MBK832
10
10
2
10
3
f (MHz)
(2)
(1)
Fig.5
Input and output return losses (on-state)
as function of frequency; typical values.
V
SG
= V
DG
= 0.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
handbook, halfpage
25
20
15
10
5
MBK833
10
10
2
10
3
f (MHz)
(2)
RL
(dB)
(1)
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