參數(shù)資料
型號： BDX45
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Darlington transistors
中文描述： 1 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： BDX45
1997 Jul 02
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
BDX45; BDX47
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BDX45
BDX47
collector-emitter voltage
BDX45
BDX47
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
open emitter
60
90
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
45
80
5
1
2
100
1.25
5
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
mb
≤
100
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
in free air
100
10
K/W
K/W
相關PDF資料
PDF描述
BDX47 PNP Darlington transistors
BDY26A Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:275Vrms; Suppressor Type:Transient Voltage; Voltage Rating DC, Vdc:369VDC; Peak Surge Current @ 8/20uS:500A; Clamping Voltage 8/20us Max :710V; Peak Energy (10/1000uS):23J RoHS Compliant: Yes
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