參數(shù)資料
型號： BDCO5
英文描述： 1 Watt NPN Silicon High Voltage Transistor
中文描述： 1瓦特NPN硅高壓晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 141K
代理商： BDCO5
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 25 mAdc, VCE = 20 Vdc)
hFE
40
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
VCE(sat)
—
2.0
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
CurrentGain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
fT
60
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cre
—
2.8
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. DC Current Gain
200
20
1.0
h
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
0.6
0.4
0.3
0
0.1
10
1.0
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
0.2
0.5
2.0
5.0
20 30
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
50
70 100
100
30
50
70
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 10 V
0.5
0.2
0.1
IC = 20 mA
IC = 30 mA
30
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