參數(shù)資料
型號(hào)： BD825
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor(NPN功率晶體管)
中文描述： 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
封裝： PLASTIC, TO-202, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： BD825
1998 May 29
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD825; BD829
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 125
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V; see Fig.2
I
C
= 5 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 500 mA
100
10
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
95
25
250
165
500
1
V
CEsat
V
BE
f
T
collector-emitter saturation voltage I
C
= 500 mA
base-emitter voltage
transition frequency
mV
V
MHz
I
C
= 500 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
1
80
120
40
MBH729
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE = 2 V
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PDF描述
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