參數(shù)資料
型號(hào)： BD825
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor(NPN功率晶體管)
中文描述： 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
封裝： PLASTIC, TO-202, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： BD825
1998 May 29
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD825; BD829
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
General purpose
Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
DESCRIPTION
NPN power transistor in a TO-202; SOT128B plastic
package. PNP complements: BD826 and BD830.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
emitter
collector, connected to metal part of
mounting surface
base
3
Fig.1
Simplified outline (TO-202; SOT128B)
and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM305
1 2 3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD825
BD829
collector-emitter voltage
BD825
BD829
peak collector current
total power dissipation
open emitter
45
100
V
V
V
CEO
open base
95
250
45
80
1.5
2
8
165
V
V
A
W
W
I
CM
P
tot
T
amb
≤
25
°
C
T
mb
≤
50
°
C
I
C
= 150 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
h
FE
f
T
DC current gain
transition frequency
MHz
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PDF描述
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