參數(shù)資料
型號(hào)： BD825
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor(NPN功率晶體管)
中文描述： 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
封裝： PLASTIC, TO-202, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： BD825
1998 May 29
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD825; BD829
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD825
BD829
collector-emitter voltage
BD825
BD829
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
open emitter
45
100
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
80
5
1
1.5
500
2
8
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
mb
≤
50
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
in free air
62.5
12.5
K/W
K/W
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PDF描述
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BD825-6 SCR Thyristor; SCR Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):8A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:15mA
BD827 SCR Thyristor; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):10A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:200uA RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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