參數(shù)資料
型號(hào): BD241BFI
英文描述: Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:190V; Capacitance:30pF RoHS Compliant: No
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商: BD241BFI
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PDF描述
BD241CFP Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:200V; Holding Current:150mA
BD241A NPN SILCON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS
BD242BFI Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Capacitance:15pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:120mA RoHS Compliant: NA
BD241BFP COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD241B RES, 10 OHM, 1%, 1/4W, 1210
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參數(shù)描述
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BD241BFP_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD241B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD241BTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD241C 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2