- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369447 > BD241CFP Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:200V; Holding Current:150mA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD241CFP |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:200V; Holding Current:150mA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | BD241CFP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD241A | NPN SILCON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
| BD242BFI | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Capacitance:15pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:120mA RoHS Compliant: NA |
| BD241BFP | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD241B | RES, 10 OHM, 1%, 1/4W, 1210 |
| BD241 | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD241CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241CTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241D-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 120V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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