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參數(shù)資料
| 型號： | BD226 |
| 英文描述： | NPN Power Transistors |
| 中文描述： | NPN電源晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | BD226 |
1997 Mar 06
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD226; BD228; BD230
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD228 | NPN Power Transistors |
| BD227 | PNP Power Transistors |
| BD229 | PNP Power Transistors |
| BD232 | TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
| BD242 | PNP SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD227 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP Power Transistors |
| BD2270HFV | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Controller ICs for High Side NMOSFET |
| BD2270HFV_11 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Controller ICs for High Side NMOSFET |
| BD2270HFV-LBTR | 功能描述:IC MOSFET CTLR 5-HVSOF 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:高壓側(cè) 通道類型:單路 驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:- 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:130μs，18μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-665 供應(yīng)商器件封裝:HVSOF5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BD2270HFV-TR | 功能描述:功率驅(qū)動器IC MOSFET Controller IC For Load Switching RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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