參數(shù)資料
型號： BD226
英文描述： NPN Power Transistors
中文描述： NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： BD226
1997 Mar 06
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD226; BD228; BD230
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
V
BE
decreases by about 2.3 mV/K with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 125
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V; see Fig.2
I
C
= 5 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 1 A
100
10
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
40
25
125
1.3
250
0.8
1.2
1.3
1.6
V
CEsat
V
BEsat
V
BE
f
T
h
h
FE2
collector-emitter saturation voltage I
C
= 1 A; I
B
= 0.1 A
base-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
V
V
V
MHz
I
C
= 1 A; I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A; V
CE
= 2 V; note 1
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 150 mA;
V
CE
= 2 V
-----------
handbook, full pagewidth
0
10
1
20
40
60
80
MGD842
hFE
1
IC (mA)
10
10
2
10
4
10
3
V
CE
= 2 V.
Fig.2 DC current gain; typical values.
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