參數(shù)資料
型號(hào)： BD226
英文描述： NPN Power Transistors
中文描述： NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： BD226
1997 Mar 06
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD226; BD228; BD230
FEATURES
High current (max. 1.5 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Driver stages in television circuits.
DESCRIPTION
NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package. PNP complements: BD227, BD229 and BD231.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
emitter
collector, connected to metal part of
mounting surface
base
3
Fig.1
Simplified outline (TO-126; SOT32)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM254
1
2
3
Top view
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD226
BD228
BD230
collector-emitter voltage
BD226
BD228
BD230
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
40
25
125
45
60
80
3
12.5
250
V
V
V
A
W
I
CM
P
tot
h
FE
T
mb
≤
62
°
C
I
C
= 150 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 1 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
f
T
transition frequency
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BD227 PNP Power Transistors
BD229 PNP Power Transistors
BD232 TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
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