參數(shù)資料
型號(hào)： BD137
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管)
中文描述： NPN硅晶體管（npn型硅晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BD137
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
10
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V
T
C
= 125
o
C
0.1
10
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EB
= 5 V
10
I
C
= 30 mA
for
BD135
for
BD137
for
BD139
45
60
80
V
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.05 A
0.5
V
V
BE
h
FE
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V
1
V
DC Current Gain
I
C
= 5 mA
I
C
= 0.5 A
I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
25
25
40
250
h
FE
h
FE
Groups
I
C
= 150 mA
for BD139 group 10
V
CE
= 2 V
63
160
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
BD135 / BD137/ BD139
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BD13710S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13710STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD137-16 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistors
BD13716S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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