參數(shù)資料
型號： BD137
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管)
中文描述： NPN硅晶體管（npn型硅晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BD137
BD135
BD137/BD139
NPN SILICON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD135, BD137 and BD139 are silicon
epitaxial planar NPN transistors in Jedec SOT-32
plastic package, designed for audio amplifiers
and drivers utilizing complementary or quasi
compementarycircuits.
The complementary PNP types are the BD136
BD138 andBD140.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
3
21
SOT-32
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD137
60
60
5
1.5
3
0.5
12.5
1.25
-65 to 150
150
Unit
BD135
45
45
BD139
80
80
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD138 PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管)
BD140 PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管)
BD234 Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管)
BD239C NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BD240C Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD137-10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD13710S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13710STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD137-16 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistors
BD13716S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*