參數(shù)資料
型號： BD138
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管)
中文描述： 硅晶體管的新進步黨（進步黨硅晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 43K
代理商： BD138
BD136
BD138/BD140
PNP SILICON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
PNP TRANSISTOR
DESCRIPTION
The BD136, BD138 and BD140 are silicon
epitaxial planar PNP transistors in Jedec SOT-32
plastic package, designed for audio amplifiers
and drivers utilizing complementary or quasi
compementarycircuits.
The complementary NPN types are the BD135
BD137 andBD139.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
3
21
SOT-32
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD138
-60
-60
-5
-1.5
-3
-0.5
12.5
1.25
-65 to 150
150
Unit
BD136
-45
-45
BD140
-80
-80
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BD234 Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管)
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參數(shù)描述
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BD13810STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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