參數(shù)資料
型號(hào): BCW81
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN general purpose transistor
中文描述: 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 50K
代理商: BCW81
1997 Apr 02
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
BCW81
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW89R TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW89 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW89 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BCW93K TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
BCX17CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應(yīng)用Vceo = 45V,Ic = 500mA))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW81T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW86 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
BCW89 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2