參數(shù)資料
型號(hào)： BCW81
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： BCW81
1997 Apr 02
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
BCW81
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base; I
C
= 2 mA
open collector
65
65
50
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
420
550
100
TYP.
120
210
750
850
2.5
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20 V; T
j
= 100
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 2.5 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 2.5 mA
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
100
10
100
800
250
700
10
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
V
BE
C
c
f
T
F
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW89R TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW89 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW89 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BCW93K TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
BCX17CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應(yīng)用Vceo = 45V,Ic = 500mA))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW81T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW86 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
BCW89 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*