參數(shù)資料
型號： BCW81
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： BCW81
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Apr 02
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCW81
NPN general purpose transistor
ook, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW89R TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW89 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW89 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BCW93K TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
BCX17CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應(yīng)用Vceo = 45V,Ic = 500mA))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW81T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW86 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
BCW89 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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