型號: | BCW66FL |
英文描述: | BJT |
中文描述: | 雙極型晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | BCW66FL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW66FLR | BJT |
BCW67BLR | BJT |
BCW69LR | BJT |
BCW71LR | BJT |
BCW29 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW66FLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW66FR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
BCW66FTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW66FTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW66FVL | 功能描述:BCW66FSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |