參數(shù)資料
型號(hào)： BCW67BLR
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： BCW67BLR
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BCW67BR-5W 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW67BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW67BTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW67C 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 800mA hfe350 SOT23
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