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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCW69LR |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | BCW69LR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW71LR | BJT |
| BCW29 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW29 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BCW29LT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BCW60CL | FUSE,HOLDER,SLO-BLO,4A,SMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW69LT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BCW69LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistors |
| BCW69R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BCW69T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW69TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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