- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369439 > BCW60D (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG) Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BCW60D |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | BCW60D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW60C | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW60 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW61AL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| BCW61 | PNP general purpose transistors |
| BCW61CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW60D /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60D,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60D,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60D | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
| BCW60D/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。