參數資料
型號： BCR20AM12L
英文描述： TRIAC|600V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220AB
中文描述： 可控硅| 600V的五（DRM）的|甲口（T）的有效值| TO - 220AB現有
文件頁數： 12/12頁
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代理商： BCR20AM12L
Mar. 2002
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
TRIAC
BCR20KM
MEDIUM POWER USE
INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
The product guaranteed maximum junction
temperature 150
°
C (See warning.)
6
6
6
6V
6V
6V
330
330
330
A
V
A
V
A
V
TEST PROCEDURE
1
TEST PROCEDURE
3
TEST PROCEDURE
2
GATE TRIGGER CHARACTERISTICS TEST CIRCUITS
C
1
C
1
= 0.1~0.47
μ
F
R
1
= 47~100
C
0
= 0.1
μ
F
R
0
= 100
C
0
R
0
R
1
LOAD
RECOMMENDED CIRCUIT VALUES
AROUND THE TRIAC
相關PDF資料
PDF描述
BCR20AM12R TRIAC|600V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220AB
BCR20AM8 TRIAC|400V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220AB
BCR20AM8L TRIAC|400V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220AB
BCR20AM8R TRIAC|400V V(DRM)|20A I(T)RMS|TO-220AB
BCR22PNQ62702C2375 TRANSISTOR DIGITAL SOT363
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參數描述
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