參數資料
型號： BC516
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Darlington transistor(PNP達林頓晶體管)
中文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC516
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistor
BC516
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
30000
TYP.
MAX.
100
100
1
1.5
1.4
UNIT
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
=
100 mA; I
B
=
0.1 mA
base-emitter saturation voltage
base-emitter on-state voltage
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
C
= 0; V
EB
=
10 V
I
C
=
20 mA; V
CE
=
2 V; see Fig.2
nA
nA
220
V
V
V
MHz
I
C
=
100 mA; I
B
=
0.1 mA
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
30 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
handbook, full pagewidth
0
20000
40000
60000
80000
hFE
MGD836
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
=
2 V.
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