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參數(shù)資料
| 型號： | BC489AZL1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | BC489AZL1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC489 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC489BZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC489RL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC516 | PNP Darlington transistor(PNP達林頓晶體管) |
| BC516 | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC489AZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC489B | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors(NPN Silicon) |
| BC489BRL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BC489BZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC489BZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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