參數資料
型號： BC489AZL1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
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代理商： BC489AZL1
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PDF描述
BC489 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC489BZL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC489RL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC516 PNP Darlington transistor(PNP達林頓晶體管)
BC516 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
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參數描述
BC489AZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489B 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors(NPN Silicon)
BC489BRL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BC489BZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489BZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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